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[发明专利]一种具有阻燃抑烟作用的原位插层改性磷酸锆及其制备方法-CN201610589029.7有效
发明人：王小萍;贾德民 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阻燃抑烟作用的原位插层改性磷酸锆及其制备方法。所述一种具有阻燃抑烟作用的原位插层改性磷酸锆的制备方法，包括以下步骤：(1)将磷酸锆均匀分散在有机溶剂中，常温下搅拌均匀后超声处理，得到磷酸锆悬浮液；(2)采用原位聚合法，在磷酸锆悬浮液中的磷酸锆多层间原位形成聚酰胺胺，制备出原位聚酰胺胺插层的改性磷酸锆材料。利用聚酰胺胺原位插层的磷酸锆的插层‑剥离结构，以及聚酰胺胺插层分子与磷酸锆形成的氮‑磷协效阻燃作用，得到的聚酰胺胺原位插层的改性磷酸锆集阻燃抑烟和增强功能于一体，在提高聚合物材料的机械性能的同时，对聚合物材料有明显的阻燃抑烟作用
一种具有阻燃作用原位改性磷酸及其制备方法

[发明专利]尼龙6原位插层石墨基导热复合材料及其制备方法-CN201610485039.6有效
发明人：徐常威;余丁山;唐浩林;赵剑豪 -专利权人：中山市永威新材料有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C08G69/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种尼龙6原位插层石墨基导热复合材料，主要由膨胀氧化石墨悬浮液和已内酰胺经原位插层聚合制备而得，包括重量百分比的以下组分：15‑20%膨胀氧化石墨，68‑78%己内酰胺，1‑2%乙酸，1‑2%本发明制备的尼龙6原位插层石墨基导热复合材料具有优异的导热性能和力学性能；采用原位插层聚合制备，使膨胀氧化石墨分散均匀于聚合物基材中；该制备方法简单易操作，不污染环境；采用的膨胀氧化石墨先经Hummers法制备再在马弗炉中膨化制备而得，该膨胀氧化石墨具有较大的层间距并对极性基团有吸附作用，提供给己内酰胺原位插层更大的空间，有利于原位插层聚合反应的进行。
尼龙原位石墨导热复合材料及其制备方法

[发明专利]一种阻燃添加剂的制备方法-CN201110101980.0有效
发明人：朱红芳;李娟;许亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C09K21/10 文献下载
摘要：本发明方法通过原位插层法来制备高阻燃性能的有机插层层状粘土，首先取反应物与酸或卤代物在水中反应生成插层剂，反应物为含三个可反应官能团的氨基化合物；然后将粘土在水中分散形成均匀稳定的悬浮液，将插层剂添加到悬浮液中，过滤、洗涤、干燥后研磨成初级插层粘土；将缚酸剂在水中搅拌均匀形成分散液，加入初级插层粘土、第一聚合单体、第二聚合单体，生成原位插层粘土溶液，原位插层粘土溶液过滤、洗涤、干燥后得到阻燃添加剂。本发明方法工艺简单、成本低，获得的阻燃聚合物插层层状粘土的阻燃性能优异。
一种阻燃添加剂制备方法

[发明专利]一种原位钴掺杂与结晶水插层的1T/2H异质相二硫化钼@碳纳米管自支撑电极及其制备方法和应用-CN202310251584.9在审
发明人：张其冲;刘樊 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位钴掺杂与结晶水插层的1T/2H异质相二硫化钼@碳纳米管自支撑电极及其制备方法，利用钴原子原位取代钼原子进行原位钴掺杂产生1T相的二硫化钼，同时将结晶水插层于所述二硫化钼中，得到原位钴掺杂与结晶水插层的采用本发明的技术方案，采用钴掺杂技术和水插层技术，使二硫化钼的金属1T相二硫化钼嵌入到2H相中，形成1T/2H异质相的纳米结构，进一步增加了锌离子的扩散通道，实现了高速率容量和长期稳定性；结晶水插层为锌离子的嵌入与脱出提供更多的活性位点
一种原位掺杂结晶水异质相二硫化钼纳米管自支撑电极及其制备方法应用

[发明专利]聚酰胺胺原位插层石墨烯复合材料的制备方法-CN201110242497.4有效
发明人：刘岚;刘孔华;贾德民;罗远芳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚酰胺胺原位插层石墨烯复合材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将石墨在含有咪唑类化合物的有机溶剂中超声分散，离心，得到多层石墨烯悬浮液；（2）采用原位聚合法在多层石墨烯间聚合生成聚酰胺胺，制备出聚酰胺胺原位插层石墨烯复合材料。本发明方法将天然石墨在有机溶剂中直接超声剥离得到含单层或多层的石墨烯悬浮液，由于没有经过氧化步骤，故对石墨烯原有的sp2结构破坏程度很小，原位聚合法制备聚酰胺胺插层石墨烯复合材料，使石墨烯片层撑开，层间距增大，石墨烯表面聚酰胺胺功能化阻止了石墨烯片层的团聚，达到均匀分散，产物稳定性好，几乎不发生沉降。
聚酰胺原位石墨复合材料制备方法

[发明专利]石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统-CN201110059829.5无效
发明人：谭平恒;赵伟杰;韩文鹏;历巧巧;姬扬 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯片插层化合物的制备方法及原位显微拉曼表征系统，制备方法包括将石墨烯片和三氯化铁分别放置于相互连接相通的玻璃管和比色皿，用分子泵将玻璃管和比色皿抽成真空后用酒精灯密封住，加热到340原位显微拉曼表征系统包括：内含石墨烯片和三氯化铁的密闭相通的玻璃管和比色皿；一激光器；一拉曼光谱仪；一加热台；一升降台；一平移台；两振镜。本发明提供的石墨烯片/三氯化铁插层化合物的制备方法简单实用，原位显微拉曼表征系统可用来原位表征石墨烯片/三氯化铁插层化合物的显微拉曼光谱，并能原位监测石墨烯片/三氯化铁插层化合物的形成情况。
石墨烯片插层化合物制备方法原位显微表征系统

[发明专利]原位显微拉曼表征系统-CN201210244442.1无效
发明人：谭平恒;赵伟杰;韩文鹏;历巧巧;姬扬 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位显微拉曼表征系统，该系统包括：内含石墨烯片和三氯化铁的密闭相通的玻璃管和比色皿；一激光器；一拉曼光谱仪；一加热台；一升降台；一平移台；两振镜。本发明提供的原位显微拉曼表征系统可用来原位表征石墨烯片/三氯化铁插层化合物的显微拉曼光谱，并能原位监测石墨烯片/三氯化铁插层化合物的形成情况。
原位显微表征系统

[发明专利]一种原位插层制备石墨/铜复合材料的方法-CN201910713636.3在审
发明人：刘占军;刘犇;张东卿;李香粉;陶则超 -专利权人：中国科学院山西煤炭化学研究所
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位插层制备石墨/铜复合材料的方法，属于金属‑石墨复合材料制备技术领域，解决石墨在铜溶体中易偏析、石墨与铜烧结体的强度和稳定性差的技术问题。解决方案为：首先，在天然鳞片石墨中加入氧化剂和插层剂制备可膨胀石墨；其次，将可膨胀石墨和铜粉在v型混料机中充分混匀；再次，将混匀后的物料放入真空热压炉中原位插层膨胀；最后将原位插层后的物料放入真空热压炉中热压烧结制得高性能复合材料
石墨制备可膨胀石墨铜复合材料真空热压炉原位插层放入混匀高性能复合材料石墨复合材料天然鳞片石墨制备技术领域氧化剂分散均匀性热压烧结综合性能插层剂烧结体插层偏析溶体铜粉金属膨胀

[发明专利]一种聚苯胺原位聚合插层五氧化二钒及其制备方法和应用-CN202010785255.9在审
发明人：王明珊;张俊;李星 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明属于电极材料技术领域，本发明提供了一种聚苯胺原位聚合插层五氧化二钒的制备方法，包括以下步骤：将五氧化二钒粉体、水和双氧水混合得到溶液a；将苯胺单体和水混合后使用酸溶液调节pH值，得到溶液b；将溶液a与溶液b混合后进行反应，得到聚苯胺原位聚合插层五氧化二钒。本发明以五氧化二钒粉体为钒源，以苯胺单体原位聚合为插层分子，以双氧水为助溶剂制备得到高比容量、循环稳定性和倍率性能优异的聚苯胺原位聚合插层五氧化二钒。
一种苯胺原位聚合插层五氧化及其制备方法应用

[发明专利]聚电解质插层二氧化锰的制备方法及其应用-CN202110947741.0在审
发明人：邵智鹏;傅杰财;谢二庆;张亚雄;郭洪州;延剑锋;崔晓莎 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01M4/50 文献下载
摘要：本发明提供了聚电解质插层二氧化锰的制备方法及其应用，其中聚电解质插层的二氧化锰包括聚电解质和二氧化锰，且聚电解质通过原位电化学的方法生长于二氧化锰层间，原位电化学方法包括以下步骤：S1、将锰盐与聚电解质分散于去离子水中；S2、利用电化学方法在三电极体系中，以步骤S1得到溶液为沉积液，通过无机‑有机界面反应，在集流体上，将聚电解质插入二氧化锰层间，最后通过高温干燥形成聚电解质插层的二氧化锰。本发明提供的原位电化学合成方法工艺简单、成本低、容易操作。同时，聚电解质原位插层于二氧化锰层间，大大地扩大了层状二氧化锰的层间距，从而提高了二氧化锰的结构稳定性、电化学性能以及吸附性能，应用于离子电池等。
电解质二氧化锰制备方法及其应用

[发明专利]羧基化氧化石墨烯苯并噁嗪纳米复合树脂的原位插层粉末的制备方法-CN201410393468.1在审
发明人：曾鸣;袁春凤 -专利权人：苏州市绿洲新材料有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：一种羧基化氧化石墨烯苯并噁嗪纳米复合树脂的原位插层粉末的制备方法，步骤如下：以天然鳞片石墨为原料，通过改进的Hummers方法制得氧化石墨；将氧化石墨通过氯乙酸法对其进行化学改性，得到羧基化氧化石墨烯；采用原位插层粉末聚合法，将羧基化的氧化石墨烯与苯并噁嗪预聚体粉末在研钵或高速行星球磨仪中进行共混和插层制得原位插层粉末。
羧基氧化石墨纳米复合树脂原位粉末制备方法

[发明专利]一种有机硅网络原位插层堆叠氧化铝材料及制备方法-CN202210003306.7在审
发明人：蒋璐瑶 -专利权人：苏州桐力光电股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：一种有机硅网络原位插层堆叠氧化铝材料及制备方法，所述有机硅网络原位插层堆叠氧化铝材料的原料配方包括基础聚合物A、基础聚合物B、基础聚合物C、基础聚合物D、基础聚合物E、基础聚合物F、氧化铝组合G和功能型添加剂本发明利用有机硅与无机氧化铝之间广泛的界面面积以及强大的界面作用力，在有机硅网络中原位插层堆叠大小不同粒径的氧化铝，将氧化铝的导热绝缘性、尺寸稳定性、热稳定性与有机硅的柔韧性、加工性及介电性能结合在一起
一种有机硅网络原位堆叠氧化铝材料制备方法

[发明专利]一种二氧化硅修饰层状硅酸盐粉体的方法-CN201610409801.2有效
发明人：张剑;吕毅;李洪深;赵英民 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C09C1/42 文献下载
摘要：本发明提出一种二氧化硅修饰层状硅酸盐粉体的方法，通过制备稀原硅酸溶液、酸性活化原硅酸溶液、碱性原硅酸溶液、活性晶种溶胶、活性晶种/层状硅酸盐悬浮液、原位生长二氧化硅修饰层状硅酸盐和干燥二氧化硅修饰层状硅酸盐悬浮液最终得到二氧化硅修饰层状硅酸盐粉体本发明能够在层状硅酸盐的表面和边缘同时制备二氧化硅颗粒，达到将层状硅酸盐的层状结构剥离开的目的又避免了使用长链季铵盐等有机插层剂原位插层或原位聚合的聚合物插层分子耐热性差，影响应用温度的问题。
一种二氧化硅修饰层状硅酸盐方法

[发明专利]一种微波辅助制备具有耐磨性CGN/HA复合材料的方法-CN201810203811.X有效
发明人：郭林;姜廷顺 -专利权人：镇江致达新材料科技有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波辅助制备具有耐磨性CGN/HA复合材料的方法，通过采用改进的Hummers法制备氧化石墨，借助微波辐照进行CTAB插层氧化石墨烯，得到CTAB插层氧化石墨烯；然后采用化学还原法借助微波辐照还原CGO制备CTAB插层石墨烯；最后利用原位合成法并借助微波辐照制备石墨烯与羟基磷灰石复合材料；采用本发明中提供的方法制备出的石墨烯还原程度较高；利用原位合成法并借助微波辐照制备所制备的CGN/HA复合材料耐磨性得到了提高
制备微波辐照耐磨性复合材料氧化石墨烯原位合成法微波辅助石墨烯插层还原羟基磷灰石复合材料化学还原法插层石墨氧化石墨改进

[发明专利]原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法-CN201210139464.1无效
发明人：刘晓磊 -专利权人：淄博职业学院
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明属于有机－无机复合材料技术领域，涉及一种原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法。该薄膜是先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的杯芳烃插层水滑石薄膜；杯芳烃插层水滑石薄膜的化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(CMCS44-)x/4·mH2O；其中0.25≤x≤0.33，m＝3~6为层间结晶水分子数，M2+为二价金属离子Ni2+、Zn2+、Co2+或Mg2+；M3+为三价金属离子Al3+；本发明利用原位生长技术，可以将具有独特包合性能的杯芳烃组装进入水滑石层间，实现杯芳烃的固定化和水滑石的功能化，制备的杯芳烃插层水滑石膜，与基底的作用力较强，不易脱落。
原位生长基底芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法

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